半導体揮発性メモリ製造のフローディアは、組込型不揮発性メモリIPの今後の事業拡大に必要な資金として、国内外の主要投資グループ、並びに事業会社を中心に、16億円の資金調達を実施したと発表した。
主たる出資は台湾の半導体ファンドリー会社関連のVCによって行われ、さらに国内主要投資会社・事業会社も賛同するという画期的枠組みで実施された。フローディアは今回調達した資金に依り、開発中の不揮発性メモリIPを主要なファンドリー各社に展開する活動を継続的に強化する計画。
今回フローディアに資金を拠出したVCおよび基金
・Fortune Venture Capital Corporation； 台湾 UMC Capital グループ、本社：台北市
・Chih-Hung Investment Corporation； 台湾 Faraday Technology Corporation グループ、 本社：新竹市
・株式会社産業革新機構； 本社：東京都千代田区
・Golden Asia Fund.； 三菱ＵＦＪキャピタル株式会社と台湾 ITIC (ITRI グループ) の共同 ファンド、本社：Cayman Islands
・大和企業投資株式会社； 本社：東京都千代田区
・SBI インベストメント株式会社； 本社：東京都港区
・リアルテックファンド； 運営会社：合同会社ユーグレナ
・SMBC 日興リバネスキャピタル、 東京都港区
・株式会社みらい創造機構； 本社：東京都千代田区
・TEL Venture Capital, Inc.； 東京エレクトロングループ、本社：米国カルフォルニア州
フローディアは、ルネサスエレクトロニクスでフラッシュメモリを開発していたエンジニアが2011年に設立したベンチャー企業。メモリ製造に必要な工程・回路を、IP（回路ブロック、及び製法）としてライセンス提供するビジネスモデルを展開している。 フローディアの開発チームは、回路設計と製造プロセスを含むIP技術全般をカバーしており、顧客の要求スペックに応じた最適メモリの開発が可能で、且つ次世代のIoT（Internet of Things）端末、自動車用高信頼性部品に最も適した組込型不揮発性メモリIPを提供できることを強みとしている。
フローディアは、2015年6月に、組込型不揮発メモリIPの開発加速のため、産業革新機構、三菱UFJキャピタル、及び大和企業投資の3社から、計8億円の資金調達を行っている。
今回の資金調達は、先の資金による開発成果を事業に拡大することを目的としており、IoT（Internet of Things）社会に求められる「使い易く、頑強・高信頼性で、低コストな」組込型不揮発性メモリIPを幅広く提供することを可能にするもの。加えてその技術の特徴を従来の組込型不揮発メモリIP市場のみならず、多様な用途に応用展開することも視野に入れた活動を展開していく。